型号:IDT71V3556S166BG8 | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:119-BGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 同步 ZBT |
存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
速度 | 166MHz |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 119-BGA |
供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!171-4729-9698(微信同号) |
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北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
IDT71V3556S166BG8相关型号
- IDT7132LA35C
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IDT, Integrated Device Technology Inc
48-DIP(0.600",15.24mm)
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Kemet
1210(3225 公制)
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信号,高达 2 A
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径向 - 2 引线,5.00mm 间距
RELAY TELECOM SPDT 1A 4.5V
- IDT71V3556S150BG
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 150MHZ 119BGA
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48-DIP(0.600",15.24mm)
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薄膜
Kemet
1210(3225 公制)
CAP FILM 0.047UF 50VDC 1210
- ICS87158AFLFT
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72-VFQFN 裸露焊盘
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RF 定向耦合器
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- IDT7025L35J8
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IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
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- GRM2196R2A5R1DD01D
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Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- LDD-A5005RI
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- IDT7133LA25JI
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC
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铁氧体磁珠和芯片
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0603(1608 公制)
FERRITE CHIP 2500 OHMS 50MA 0603
- ICS9FG430AGILF
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IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP
- GRM2196R2A5R7DD01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 5.7PF 100V R2H 0805
- LDD-A512RI
显示器模块 - LED 字符与数字
Lumex Opto/Components Inc
18-DIP(0.600",15.24mm)
LED 7-SEG .56 DUAL GRN CA DIRECT
- ICS8735AKI-01LFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
IDT, Integrated Device Technology Inc
32-VFQFN 裸露焊盘
IC CLK GEN ZD LVPECL 32-VFQFPN